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C2S和C3S这两种高熔点硅酸盐富集层的形成,对高SiO2熔渣的渗透起着缓和与阻滞作用。实际使用情况是反应带只有薄薄的一层,反应带之后是以高熔点方镁石为主的过渡层,再往内就是散状料,也就是说这种干式捣打料可保持深层的适度分散性。
捣打料坩埚模下好后,应扒松坩埚周围的砂子l5~20ram厚度。然后加砂料打结炉壁。打结炉壁时,采取连续打结的方法,每批加料厚度为200~280mm,每批料打结完后需扒松表面15~20ram后加下一批砂料。
镁质干式捣打料的主要成分为MgO和CaO,具有优异的抵抗熔渣渗透侵蚀的特性。当捣打料与富铁熔渣相遇时,材料中的MgO与Fe2O3反应生成高熔点的镁富氏体和铁酸镁,对材料起着保护作用;当干式捣打料与高SiO2熔渣相遇时,材料中的CaO与SiO2反应生成高熔点的硅酸二钙(C2S)富集层,炉渣中的过剩组分则继续向内渗透,与CaO反应生成高熔点的硅酸三钙(C3S)富集层。至此,SiO2的侵蚀和渗透作用就停滞不前了。
捣打料为防止在打结过程中落入杂物,在打结前应搭设一个小棚架。如果有杂物掉进砂料内,需设法掏出。炉口、炉嘴要用小锤锤实,用刮刀刮平整,靠近坩埚内侧要有倒角约等于45℃。
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